Η Samsung Electronics, světový lídr v oblasti pokročilé paměťové technologie, oznámil masová výroba mobilních DRAM s nejvyšší kapacitou.
Η nová mobilní DRAM je první 4X v průmyslovém odvětví 12 gigabajtů (GB), nízká spotřeba, duální datová rychlost (LPDDR4X) – optimalizované pro prémiové smartphony zítřka. Díky vyšší kapacitě než většina ultratenkých notebooků umožní nová mobilní DRAM uživatelům maximálně využít všechny funkce smartphonu nové generace.
„Spuštěním hromadné výroby nového LPDDR4X společnost Samsung dokončuje celou řadu pokročilých paměťových produktů, které posílí novou éru chytrých telefonů, včetně úložných řešení od 12GB mobilní DRAM až po 512GB eUFS 3,“ řekl Sewon Chun, výkonný zástupce. Prezident Memory Marketing společnosti Samsung Electronics. "S LPDDR4X navíc posilujeme naši pozici výrobce prémiových mobilních pamětí, abychom mohli efektivně uspokojit rychle rostoucí poptávku výrobců smartphonů po celém světě."
Díky 12GB mobilní paměti DRAM mohou výrobci chytrých telefonů maximalizovat možnosti zařízení s více než pěti fotoaparáty, stále se zvětšující velikostí obrazovky a také funkcemi umělé inteligence (AI) a 5G. S novou 12GB DRAM mohou uživatelé chytrých telefonů provádět mnoho úkolů současně a hladce, rychleji vyhledávat a bez námahy procházet mezi mnoha aplikacemi na velmi velkých obrazovkách s vyšším rozlišením. Také jeho tenký design (pouze 1.1 mm) slouží elegantnímu, jednoduchému designu smartphonů.
Kapacita 12GB byla dosažena kombinací šesti (6) čipů LPDDR4X, každý 16gigabitový, založených na zpracování druhé generace 10nm (1y-nm), v jediném balení, čímž se uvolnilo více místa pro baterii smartphonu. Nová 1GB mobilní paměť navíc s využitím technologie 12y-nm společnosti Samsung zajišťuje přenos dat rychlostí až 34.1 GB za sekundu a zároveň snižuje nevyhnutelné zvýšení spotřeby energie způsobené zvýšením kapacity DRAM.
Od uvedení 1GB mobilní DRAM v roce 2011 Samsung i nadále vede vývoj na trhu mobilních DRAM, uvedením 6GB mobilní DRAM v roce 2015, 8GB v roce 2016 a uvedením prvního 12GB LPDDR4X. Z nejmodernější výrobní linky pamětí v Koreji plánuje Samsung ve druhé polovině roku 8 více než ztrojnásobit nabídku 12GB a 1GB mobilních DRAM na bázi 2019y-nm, aby uspokojil očekávanou vysokou poptávku.
Harmonogram výroby mobilních DRAM Samsung: Hromadná výroba
Datum | Kapacita | Mobilní DRAM |
únor 2019 | 12GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
červenec 2018 | 8GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
duben 2018 | 8 GB (vývoj) | 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
září 2016 | 8GB | 1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
Srpen 2015 | 6GB | 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
prosinec 2014 | 4GB | 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
září 2014 | 3GB | 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
Listopad. 2013 | 3GB | 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
červenec 2013 | 3GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
duben 2013 | 2GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
Srpen 2012 | 2GB | 30nm třída 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
2011 | 1 / 2GB | 30nm třída 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
2010 | 512MB | 40nm třída 2Gb MDDR, 400Mb/s |
2009 | 256MB | 50nm třída 1Gb MDDR, 400Mb/s |