Nové univerzální úložiště Flash, poháněné 5. generací V-NAND společnosti Samsung, nabízí 20krát více úložného prostoru než 64GB interní úložiště a 10krát vyšší rychlost než standardní microSD karta pro datově náročné aplikace.
Η Společnost Samsung Electronics Co., Ltd., světová jednička v oblasti pokročilých paměťových technologií, dnes oznámila hromadnou výrobu prvního integrovaného úložiště Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 o velikosti terabajtů pro použití v mobilních aplikacích nové generace. Pouhé čtyři roky po oznámení prvního řešení UFS, 128GB eUFS, Samsung překonal dlouho očekávanou hranici jednoho terabajtu v úložišti smartphonu. Milovníci chytrých telefonů si budou moci brzy užívat úložnou kapacitu srovnatelnou s prémiovým notebookem, aniž by museli do svých mobilních telefonů přidávat další paměťové karty.
„Očekává se, že 1TB eUFS bude hrát důležitou roli při vytváření vylepšeného uživatelského zážitku na mobilních zařízeních nové generace, podobně jako na noteboocích,“ řekl Cheol Choi, výkonný viceprezident prodeje a marketingu paměti ve společnosti Samsung Electronics. "Samsung se také zavázal zajistit nejspolehlivější dodavatelský řetězec a dostatečné objemy výroby, aby podpořil uvedení nadcházejících vlajkových lodí smartphonů s cílem urychlit růst na globálním trhu mobilních telefonů."
Při zachování stejné velikosti balení (11.5 mm x 13.0 mm) 1TB řešení eUFS zdvojnásobuje kapacitu předchozí 512GB verze, kombinuje 16 vrstev pokročilejší 512GB V-NAND flash paměti a nově vyvinutý proprietární paměťový řadič. Uživatelé chytrých telefonů si budou moci uložit 260 desetiminutových videí v rozlišení 4K UHD (3840X2160), zatímco standardní 64GB eUFS, které zobrazuje většina moderních smartphonů, pojme 13 videí stejné velikosti.
1TB eUFS je extrémně rychlý a umožňuje uživatelům přenášet velký multimediální obsah za výrazně kratší dobu. Při rychlostech až 1.000 2.5 megabajtů za sekundu (MB/s) má nový eUFS přibližně dvojnásobnou rychlost sekvenčního čtení než standardní 5palcový SATA SSD. To znamená, že 10GB full HD videa lze stáhnout na NVMe SSD za pouhých pět sekund, což je 38krát rychlejší než standardní microSD karta. Rychlost náhodného čtení se navíc oproti 512GB verzi zvýšila o 58.000 % a dosáhla 500 100 IOPS. Náhodné registrace jsou 50.000krát rychlejší než vysoce výkonná microSD karta (960 IOPS) a dosahují XNUMX XNUMX IOPS. Náhodné rychlosti umožňují souvislé vysokorychlostní fotografování rychlostí XNUMX snímků za sekundu a dávají uživatelům chytrých telefonů příležitost maximálně využít možnosti více fotoaparátů moderních zařízení a vlajkových lodí nové generace.
Na první polovinu roku 2019 společnost Samsung plánuje rozšířit výrobu nové generace V-NAND 512GB ve svém závodě v Koreji, aby zvládla vysokou poptávku po dlouho očekávaném 1TB eUFS ze strany výrobců mobilních zařízení po celém světě.
[the_ad_group id = ”966 ″]
